Micron Technology, cu sediul central în Idaho, SUA, a anunțat pe 26 februarie 2024, începerea producției în masă pentru soluția de ultimă generație HBM3E. Acest progres oferă eficiență energetică și capacități de ultra-înaltă viteză. HBM3E de 24GB, cu 8 straturi, atinge o viteză de pin de 9,2Gbps, oferind o lățime de bandă de memorie care depășește 1,2TB/s. Acest lucru facilitează accesul rapid la date, crucial pentru acceleratoarele AI, supercomputerele și centrele de date. Produsul se va integra în NVIDIA H200 Tensor Core GPU, programat pentru livrare în al doilea trimestru al anului 2024.
HBM3E de la Micron se mândrește cu un consum de energie cu până la 30% mai mic comparativ cu concurenții, optimizând debitul și reducând costurile operaționale ale centrelor de date. În plus, eșantioane de HBM3E de 36GB cu 12 straturi, care depășesc de asemenea performanța de 1,2TB/s, urmează să fie livrate în martie.
