Institutul de Cercetare în Tehnologie Industrială (ITRI) și-a unit forțele cu Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) pentru o cercetare de pionierat în dezvoltarea unui cip de memorie magnetică cu acces aleatoriu de tip SOT-MRAM (spin-orbit-torque magnetic random-access memory). Acest cip de matrice SOT-MRAM prezintă un sistem de calcul inovator în arhitectura de memorie și se mândrește cu un consum de energie de doar un procent din cel al unui produs de memorie magnetică cu acces aleatoriu cu cuplu de transfer de spin (STT-MRAM). Eforturile lor de colaborare au avut ca rezultat o lucrare de cercetare privind această componentă microelectronică, care a fost prezentată în comun la reuniunea internațională IEEE 2023 privind dispozitivele electronice (IEDM 2023), subliniind caracterul de ultimă oră al rezultatelor lor și rolul lor esențial în avansarea tehnologiilor de memorie de generație viitoare.
Dr. Shih-Chieh Chang, director general al laboratoarelor de cercetare a sistemelor electronice și optoelectronice de la ITRI, a subliniat realizările colaborării dintre cele două organizații. „În urma lucrărilor în colaborare prezentate anul trecut la Simpozionul privind tehnologia și circuitele VLSI, am continuat să dezvoltăm în comun o celulă unitară SOT-MRAM”, a declarat Chang. „Această celulă unitară realizează simultan un consum redus de energie și o funcționare de mare viteză, atingând viteze de până la 10 nanosecunde. Iar performanța sa globală de calcul poate fi îmbunătățită și mai mult atunci când este integrată cu calculul în proiectarea circuitelor de memorie. Privind în viitor, această tehnologie deține potențialul pentru aplicații în calculul de înaltă performanță (HPC), inteligența artificială (AI), cipuri pentru automobile și multe altele.”
Apariția inteligenței artificiale, a 5G și a AIoT a creat o cerere semnificativă de procesare rapidă, necesitând noi soluții de memorie caracterizate de viteză, stabilitate și eficiență energetică îmbunătățite. Colaborarea de succes dintre ITRI și TSMC nu numai că pune în lumină calea spre tehnologia de memorie de generație următoare, dar consolidează și avantajul competitiv internațional al Taiwanului în sectorul semiconductorilor.