web analytics

SK Hynix își va prezenta memoriile GDDR7, HBM3E de 48GB cu 16 straturi și LPDDR5T-10533 la IEEE-SSCC

Parteneri

Samsung nu este singurul gigant coreean din domeniul memoriilor care își va prezenta cele mai noi tehnologii la viitoarea conferință IEEE Solid State Circuit Conference (SSCC) din februarie 2024; i se va alătura SK Hynix, care va face demonstrații cu tehnologii concurente în cadrul liniilor sale de memorii volatile și non-volatile. Pentru început, SK Hynix va fi a doua companie care va prezenta un cip de memorie GDDR7, după Samsung. Cipul SK Hynix este capabil să atingă viteze de 35,4 Gbps, mai mici decât cele 37 Gbps pe care le prezintă Samsung, dar la aceeași densitate de 16 Gbit. Această densitate permite implementarea a 16 GB de memorie video pe un bus de memorie de 256 de biți. Nu toate GPU-urile de ultimă generație vor atinge maximul de 37 Gbps, unele pot funcționa la viteze de memorie mai mici, iar acestea au opțiuni adecvate în stiva de produse SK Hynix. La fel ca și Samsung, SK Hynix implementează semnalizarea PAM3 I/O și o arhitectură proprietară de consum redus de energie (deși compania nu a vrut să precizeze dacă este similară cu cele patru stări de ceas de viteză redusă ca la cipurile Samsung).

 

GDDR7 va domina cu siguranță următoarea generație de plăci grafice în segmentele de jocuri și de procesoare; cu toate acestea, piața procesoarelor AI HPC va continua să se bazeze în mare măsură pe HBM3E. SK Hynix a inovat în acest domeniu și va prezenta un nou design de stivă HBM3E de 16-48 GB (384 Gbit) care este capabil să atingă 1280 GB/s pe o singură stivă. Un procesor cu chiar patru astfel de stive va avea 192 GB de memorie la o lățime de bandă de 5,12 TB/s. Stiva implementează un nou design TSV (through silicon via) de putere totală și o schemă RDQS (read data queue strobe) cu 6 faze, pentru optimizarea zonei TSV. În cele din urmă, sesiunile SK Hynix vor include, de asemenea, prima demonstrație a ambițiosului său standard de memorie LPDDR5T (LPDDR5 Turbo) destinat smartphone-urilor, tabletelor și notebook-urilor subțiri și ușoare. Acest cip atinge un debit de date de 10,5 Gb/s pe pin și o tensiune DRAM de 1,05 V. Viteze de date atât de mari sunt posibile datorită unei tehnologii brevetate de reducere a capacității parazite și a unei tehnologii de recepție cu calibrare a decalajului de tensiune.