SK hynix a confirmat într-o postare pe blog că dezvoltarea următoarei generații de memorii HBM4 cu lățime de bandă mare începe în 2024.
SK hynix va începe dezvoltarea memoriei de mare lățime de bandă HBM4 de generație următoare în 2024, pentru a alimenta următoarea eră a centrelor de date și a inteligenței artificiale
Până în prezent, am văzut Micron & Samsung enumerând produsele de memorie HBM4 de generație următoare, confirmând totodată dezvoltarea. Aceste două companii au evidențiat un termen de lansare în jurul anilor 2025-2026. Pe baza celei mai recente confirmări din partea SK hynix, compania a dezvăluit, de asemenea, că intenționează să înceapă producția următoarei generații de memorii cu lățime de bandă mare în 2024.
Vorbind despre produsele sale HBM, directorul Kim Wang-soo a subliniat că în 2024 compania va produce în masă propria soluție HBM3E, o variantă îmbunătățită a memoriei HBM3 existente. Noua memorie va oferi viteze și capacități sporite. Însă, în același an, SK hynix intenționează să inițieze și dezvoltarea memoriei sale HBM4, care va marca un pas important în evoluția continuă a stivei de produse HBM.
Avantajul competitiv va continua și anul viitor. Kim Wang-soo, liderul echipei GSM, a declarat: „Cu producția în masă și vânzările de HBM3E planificate pentru anul viitor, dominația noastră pe piață va fi din nou maximizată”. Acesta a adăugat: „Deoarece dezvoltarea HBM4, produsul următor, este, de asemenea, programată să înceapă în mod serios, HBM-ul SK Hynix va intra într-o nouă fază anul viitor. „Va fi un an în care vom sărbători”, a spus el.
via SK hynix
Acum, având în vedere că dezvoltarea este planificată pentru 2024, ne putem aștepta ca produsele reale care utilizează astfel de matrițe de memorie să fie disponibile până la sfârșitul anului 2025 sau 2026. O foaie de parcurs recentă împărtășită de Trendforce se așteaptă ca primele mostre HBM4 să prezinte capacități de până la 36 GB pe stivă, iar specificațiile complete să fie publicate în jurul intervalului 2H 2024-2025 de către JEDEC. Prima eșantionare și disponibilitate pentru clienți este așteptată în 2026, astfel încât mai este încă mult timp până când vom putea vedea în acțiune noile soluții de memorie cu lățime de bandă mare.
Cu stive de 36 GB, puteți obține o capacitate de până la 288 GB și este planificată o capacitate și mai mare. Memoria HBM3E atinge deja o viteză maximă de 9,8 Gbps, așa că ne putem aștepta ca HBM4 să fie prima care va depăși bariera de două cifre de 10+ Gbps. În ceea ce privește produsele, se așteaptă ca Blackwell de la NVIDIA să utilizeze module de memorie HBM3E, astfel încât succesorul lui Blackwell (posibil cu nume de cod după Vera Rubin) sau o versiune îmbunătățită a acestuia, cum ar fi Hopper H200 (HBM3E), va fi primul care va utiliza HBM4.