Samsung a dezvăluit HBM3E 12H, marcând un progres semnificativ în tehnologia de memorie cu lățime de bandă mare (HBM) prin introducerea primei DRAM HBM3E cu 12 straturi din industrie. Această evoluție poziționează Samsung în fruntea furnizării de soluții care răspund cererii tot mai mari de memorie de înaltă performanță și de mare capacitate în aplicațiile bazate pe inteligența artificială. HBM3E 12H stabilește un nou punct de referință, capacitatea sa ajungând la 36 de gigabytes (GB) și oferind o lățime de bandă maximă de 1.280 de gigabytes pe secundă (GB/s), ceea ce reprezintă o îmbunătățire de peste 50% atât în ceea ce privește performanța, cât și capacitatea, în comparație cu varianta precedentă HBM3 cu 8 straturi.
Yongcheol Bae, vicepreședinte executiv al departamentului de planificare a produselor de memorie de la Samsung Electronics, a evidențiat cererea tot mai mare de HBM de capacitate mai mare din partea furnizorilor de servicii de inteligență artificială și a subliniat faptul că HBM3E 12H este proiectat pentru a satisface această cerință, consolidând astfel angajamentul Samsung față de inovația tehnologică pe piața HBM de mare capacitate. O caracteristică cheie a HBM3E 12H este implementarea tehnologiei avansate de comprimare termică a filmului neconductor neconductor (TC NCF), care permite DRAM-ului cu 12 straturi să mențină aceeași înălțime fizică ca și omologii săi cu 8 straturi, asigurând compatibilitatea cu specificațiile existente ale pachetului HBM. Această tehnologie abordează, de asemenea, provocările potențiale asociate cu deformarea cipurilor prin reducerea grosimii materialului NCF, obținând un decalaj între cipuri de șapte micrometri (µm), lider în industrie, și îmbunătățind densitatea verticală cu peste 20% față de HBM3 8H.
Se anticipează că HBM3E 12H va juca un rol crucial în următoarea generație de sisteme de inteligență artificială, oferind performanțe și capacități mai mari, ceea ce va permite o gestionare mai eficientă a resurselor și un cost total de proprietate mai mic pentru centrele de date. În aplicațiile AI, se așteaptă ca această soluție de memorie să crească semnificativ viteza de instruire AI și să extindă capacitatea de gestionare a serviciilor de inferență simultane.
Samsung a inițiat distribuirea de mostre HBM3E 12H către clienții săi, urmând să înceapă producția în masă în lunile următoare. Această mișcare subliniază poziționarea strategică a Samsung pentru a răspunde nevoilor în evoluție ale sectorului de calcul de înaltă performanță, în special în domeniul inteligenței artificiale.